GB/T13539.4-2016低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護用熔斷體的補充要求.pdf

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體，該熔斷體適用于標(biāo)稱電壓不超過交流1o00V或直流1500V的電路。如適用，還可用于更高的標(biāo)稱電壓的電路。注1：此類熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”.注2：在多數(shù)情況下，組合設(shè)備的一部分可用作熔斷器底座。由于設(shè)備的多樣性，難以作出一般的規(guī)定；組合設(shè)備是否適合作熔斷器底座，宜由用戶與制造廠協(xié)商．但是，如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件，他們應(yīng)符合IEC60269一l:2006的相關(guān)要求。

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